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近日，市场研究机构集邦咨询发布报告指出，由于英伟达等云端服务业者自研芯片的需求增加，存储器原厂正在积极扩大TSV产线，以提升高带宽内存（HBM）的产能。预计到2024年，HBM的出货量将增长105%。报告进一步指出，到2023年，主流需求将从HBM2e转向HBM3，需求比重预计分别为50%和39%。随着使用HBM3的加速芯片陆续放量，预计到2024年，市场需求将大幅转向HBM3，其比重将直接超越HBM2e，达到预计的60%。受益于其更高的平均销售单价，将带动明年HBM营收显著增长。在竞争格局方面，目前SK海力士的HBM3产品领先其他原厂，成为英伟达服务器GPU的主要供应商。而三星则主要满足其他云端服务业者的订单。预计在今年，由于客户订单的增加，三星与SK海力士的市场份额差距将大幅缩小。预计在2023年至2024年，两家公司的HBM市场份额将相当，合计占据HBM市场的95%。另一方面，美光今年专注于开发HBM3e产品。但由于SK海力士和三星大幅扩产，预计在未来两年，美光的市场份额将受到排挤，略有下滑。HBM是一种基于3D堆叠工艺的高效能DRAM，由三星电子、超微半导体和SK海力士共同发起，主要应用于图形处理器、网络交换及转发装置等高内存频宽需求的应用场合。